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Technische Details 1N5267B-TAP Vishay Semiconductors
Description: DIODE ZENER 75V 500MW DO35, Packaging: Tape & Box (TB), Tolerance: ±5%, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V, Impedance (Max) (Zzt): 270 Ohms, Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH), Grade: Automotive, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 56 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote 1N5267B-TAP
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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1N5267B-TAP | Hersteller : Vishay |
 Zener Diode Single 75V 5% 270Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5267B-TAP | Hersteller : Vishay |
Diode Zener Single 75V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5267B-TAP | Hersteller : Vishay |
Diode Zener Single 75V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5267B-TAP | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 75V 500MW DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V Impedance (Max) (Zzt): 270 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 56 V Qualification: AEC-Q101 |
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