1N5363B (Vishay) - Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Zenerdioden

1N5363B

1N5363B

Produktcode: 14743
Hersteller: Vishay
Gehäuse: DO-201
Ustab.,V: 30
Istab.direkt,A: 0,167
Pmax: 5
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Technische Details 1N5363B

Preis 1N5363B ab 0.12 EUR bis 5.33 EUR

1N5363B
Hersteller: DC COMPONENTS
Material: 1N5363B-DC THT Zener diodes
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1N5363B
Hersteller: MIC
5W; 30V; packaging: ammo; zener diode 1N5363B DO-201AD DZ30V0.N53
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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1N5363B
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 1N5363B-DIO THT Zener diodes
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500+ 0.15 EUR
1700+ 0.14 EUR
1N5363B
1N5363B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Zener Diodes Zener Diode, DO-201, 30V, 5W, 5%
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1N5363B
1N5363B
Hersteller: Microchip Technology
Zener Diode Single 30V 5% 8Ohm 5000mW 2-Pin Case T-18
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1N5363B
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 1N5363B-DIO THT Zener diodes
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1N5363B
1N5363B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Zener Diode Single 30V 5% 8Ohm 5000mW 2-Pin DO-201 Ammo
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1N5363B
Hersteller: DC COMPONENTS
Material: 1N5363B-DC THT Zener diodes
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1N5363B
Hersteller:
1N5363B
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1N5363B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Zener Diode Single 30V 5% 8Ohm 5000mW 2-Pin DO-201 Ammo
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1N5363B
1N5363B
Hersteller: onsemi
Zener Diodes 30V 5W
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1N5363B
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Imp & Exp.Co.Ltd
30V 5%, 5W
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1N5363B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Zener Diode Single 30V 5% 8Ohm 5000mW 2-Pin DO-201 Ammo
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1N5363B
1N5363B
Hersteller: ON Semiconductor
Zener Diodes 30V 5W
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1N5363B
Hersteller: Diotec
30V 5%, 5W
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1N5363B
1N5363B
Hersteller: onsemi
Description: DIODE ZENER 30V 5W AXIAL
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Axial
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 22.8 V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
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1N5363B
1N5363B
Hersteller: Rectron USA
Description: DIODE ZENER 30V 5W DO-15
Supplier Device Package: DO-15
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Tolerance: ±5%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 22.8 V
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5363B
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 30V 5W T18
Supplier Device Package: T-18
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 21.6V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Power - Max: 5W
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30V
Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5363B
1N5363B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: ZENER DO-201 30V 5W 5%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 22.8 V
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-201
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Strip
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1N5363B
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 30V 5W T18
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 21.6 V
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1N5363B
1N5363B
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: DIODE ZENER 30V 5W AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 22.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: Axial
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bag
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BDW93C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 872		 BDW93C,94B,94C.pdf
BDW93C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 12
h21: 20000
Bem.: Darlington
30 Stück - stock Köln
145 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
200 Stück - erwartet 30.06.2022
1+ 0.45 EUR
10+ 0.4 EUR
100+ 0.31 EUR
TIP35C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 25067		 TIP35C,36B,36C.pdf
TIP35C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-218
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 25
h21: 50
11 Stück - stock Köln
62 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 1.13 EUR
10+ 0.98 EUR
Möglichen Substitutionen
BD249C
Produktcode: 53368
1N5359B
Produktcode: 35266		 1n5345b-1n5388b.pdf
1N5359B
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Zenerdioden
Gehäuse: DO-201
Ustab.,V: 24
Pmax: 5
120 Stück - stock Köln
auf Bestellung 27673 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.16 EUR
100+ 0.15 EUR
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574		 техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3145 Stück - stock Köln
15025 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR