1N5401G-T Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
auf Bestellung 46800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1200+ | 0.13 EUR |
| 3600+ | 0.12 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 1N5401G-T Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - 1N5401G-T - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 2000 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 2000ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote 1N5401G-T nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N5401G-T | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
auf Bestellung 47419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
1N5401G-T | Hersteller : Diodes Incorporated |
Rectifiers 3.0A 100V |
auf Bestellung 10844 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
1N5401G-T | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1N5401G-T - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 2000 ns, 125 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 2000ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
1N5401G-T | Hersteller : Diodes Inc |
Rectifier Diode Switching 100V 3A 2000ns 2-Pin DO-201AD T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
1N5401G-T | Hersteller : Rectron |
Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
1N5401G-T | Hersteller : Diodes Zetex |
Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
1N5401G-T | Hersteller : Rectron |
Rectifiers DO-201AD 3A 100V GP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
| 1N5401G-T | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; reel,tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 2us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 2µs Capacitance: 40pF Features of semiconductor devices: glass passivated |
Produkt ist nicht verfügbar |