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1N5404G

1N5404G EIC Semiconductor

2531n5400g_8g.pdf Hersteller: EIC Semiconductor
Diode Si 400V 3A 2-Pin DO-201AD
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Technische Details 1N5404G EIC Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5404G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5404, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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1N5404-G 1N5404-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
auf Bestellung 266000 Stücke:
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1N5404G 1N5404G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5404G 1N5404G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 7000 Stücke:
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628+0.25 EUR
1003+ 0.15 EUR
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1N5404G 1N5404G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1n5400-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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1N5404G 1N5404G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5404G 1N5404G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5404G 1N5404G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5404-G 1N5404-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5404-G 1N5404-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
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1N5404-G 1N5404-G Hersteller : Comchip Technology QW_BG015_1N5400_G_Thru__1N5408_G_RevA-2506339.pdf Rectifiers VR=400V, IO=3A
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1N5404G 1N5404G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifiers 3A, 400V, Standard Recovery Rectifier
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1N5404G 1N5404G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1n5400-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
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1N5404G 1N5404G Hersteller : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
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2000+ 0.26 EUR
5000+ 0.25 EUR
10000+ 0.22 EUR
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1N5404G 1N5404G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1009 Stücke:
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90+ 0.8 EUR
246+ 0.29 EUR
298+ 0.24 EUR
385+ 0.19 EUR
848+ 0.084 EUR
910+ 0.079 EUR
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1N5404G 1N5404G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
auf Bestellung 1009 Stücke:
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68+1.06 EUR
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1N5404G 1N5404G Hersteller : onsemi 1N5400_D-2307973.pdf Rectifiers 400V 3A Standard
auf Bestellung 27767 Stücke:
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44+ 1.21 EUR
100+ 0.53 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.31 EUR
2500+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 40
1N5404G 1N5404G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 2182646.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5404G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5404
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5404G 1N5404G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 7000 Stücke:
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1N5404G Hersteller : Rectron 1n5400-d.pdf Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
1N5404G 1N5404G Hersteller : ONSEMI 1n5400-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 400V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N5404G Hersteller : Lite-On Electronics 1n5400g-1n5408g-9.pdf Rectifier Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5404-G 1N5404-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5404G 1N5404G Hersteller : EIC Semiconductor 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 400V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5404G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1301n5400g20series_g12.pdf Rectifier Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5404G 1N5404G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5404-G 1N5404-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5404G 1N5404G Hersteller : ONSEMI 1n5400-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 400V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
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