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1N5406-G

1N5406-G Comchip Technology

QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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Technische Details 1N5406-G Comchip Technology

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5406G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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1N5406G 1N5406G Hersteller : ONSEMI 1n5400-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 600V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
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Anzahl Preis ohne MwSt
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167+ 0.43 EUR
184+ 0.39 EUR
235+ 0.3 EUR
285+ 0.25 EUR
435+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 148
1N5406G 1N5406G Hersteller : ONSEMI 1n5400-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 600V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
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167+ 0.43 EUR
184+ 0.39 EUR
235+ 0.3 EUR
285+ 0.25 EUR
435+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 148
1N5406G 1N5406G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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347+ 0.43 EUR
580+ 0.25 EUR
626+ 0.22 EUR
1252+ 0.11 EUR
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1N5406-G 1N5406-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5406G 1N5406G Hersteller : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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1N5406G 1N5406G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5406G 1N5406G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 3628 Stücke:
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301+ 0.5 EUR
423+ 0.34 EUR
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1N5406-G 1N5406-G Hersteller : Comchip Technology QW_BG015_1N5400_G_Thru__1N5408_G_RevA-2506339.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=600V, IO=3A
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113+ 0.46 EUR
500+ 0.43 EUR
1200+ 0.29 EUR
2400+ 0.23 EUR
9600+ 0.22 EUR
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1N5406G 1N5406G Hersteller : onsemi 1N5400_D-2307973.pdf Rectifiers 600V 3A Standard
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1000+ 0.42 EUR
30000+ 0.4 EUR
52500+ 0.34 EUR
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1N5406G 1N5406G Hersteller : Good-Ark 21n540xg.pdf Rectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5406G 1N5406G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5406G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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1N5406G 1N5406G Hersteller : Good-Ark 21n540xg.pdf Rectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5406G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1301n5400g20series_g12.pdf Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5406G 1N5406G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifiers 3A, 600V, Standard Recovery Rectifier
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1N5406G 1N5406G Hersteller : Rectron 1n5400g-1n5408g.pdf Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5406G 1N5406G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N5406G Hersteller : Diodes Inc 1n5400g-1n5408g-9.pdf Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5406G 1N5406G Hersteller : EIC Semiconductor 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5406G 1N5406G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Box
Produkt ist nicht verfügbar
1N5406G 1N5406G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5406-G 1N5406-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5406-G 1N5406-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5406G 1N5406G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Produkt ist nicht verfügbar