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Technische Details 1N5415 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: B, Axial, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: B, Axial, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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1N5415 | Microchip Technology |
 Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case B Bag |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N5415 | Microchip Technology |
Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case B Bag |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N5415 | Microchip Technology |
Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case B Bag |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1N5415 |
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Hersteller: Microchip Technology
Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case B Bag
Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case B Bag
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| 1N5415 |
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Hersteller: Microchip Technology
Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case B Bag
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| 1N5415 |
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Hersteller: Microchip Technology
Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case B Bag
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