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Technische Details 1N5416US Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 100V 3A D5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote 1N5416US nach Preis ab 15.7 EUR bis 15.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5416US | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: DIODE STANDARD 100V 3A D5BPackaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
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1N5416US | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 100V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
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1N5416US | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
Diode Switching 100V 3A 2-Pin MELF-B |
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1N5416US | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 100V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5416US | Hersteller : MICROSEMI |
1N5416US 1N5416 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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