1N5417US Microchip Technology
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 28.11 EUR |
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| 50+ | 18.8 EUR |
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Technische Details 1N5417US Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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1N5417US | Microchip Technology |
 Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5BPackaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N5417US | Microchip / Microsemi |
Rectifiers Rectifier |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N5417US | Microchip Technology |
Rectifiers 220V 3A UFR,FRR SQ SMT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N5417US | Sensitron Semiconductors |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin MELF-B |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N5417US | Microchip Technology |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
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1N5417US | Microchip Technology |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
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| 1N5417US |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
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| 1N5417US |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Rectifiers Rectifier
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| 1N5417US |
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Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 220V 3A UFR,FRR SQ SMT
Rectifiers 220V 3A UFR,FRR SQ SMT
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| 1N5417US |
|
Hersteller: Sensitron Semiconductors
Diode Switching 200V 3A 2-Pin MELF-B
Diode Switching 200V 3A 2-Pin MELF-B
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| 1N5417US |
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Hersteller: Microchip Technology
Diode Switching 200V 3A 2-Pin E-MELF Bag
Diode Switching 200V 3A 2-Pin E-MELF Bag
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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| 1N5417US |
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Hersteller: Microchip Technology
Diode Switching 200V 3A 2-Pin E-MELF Bag
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