1N5417US Microchip Technology
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 26.79 EUR |
| 10+ | 20.76 EUR |
| 25+ | 17.35 EUR |
| 50+ | 16.02 EUR |
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Technische Details 1N5417US Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D-5B, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, E, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote 1N5417US
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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1N5417US | Sensitron Semiconductors |
 Diode Switching 200V 3A 2-Pin MELF-B |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N5417US | Microchip Technology |
Diode Switching 200V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N5417US | Microchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: D-5B Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, E Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N5417US | Microchip / Microsemi |
Rectifiers Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N5417US | Microchip Technology |
Rectifiers 220V 3A UFR,FRR SQ SMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1N5417US |
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Hersteller: Sensitron Semiconductors
Diode Switching 200V 3A 2-Pin MELF-B
Diode Switching 200V 3A 2-Pin MELF-B
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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| 1N5417US |
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Hersteller: Microchip Technology
Diode Switching 200V 3A 2-Pin E-MELF Bag
Diode Switching 200V 3A 2-Pin E-MELF Bag
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| 1N5417US |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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| 1N5417US |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Rectifiers Rectifier
Rectifiers Rectifier
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| 1N5417US |
|
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 220V 3A UFR,FRR SQ SMT
Rectifiers 220V 3A UFR,FRR SQ SMT
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