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Technische Details 1N5551 Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V.
Weitere Produktangebote 1N5551 nach Preis ab 8.11 EUR bis 8.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5551 | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: DIODE STANDARD 400V 3A B AXIALPackaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
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1N5551 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 400V 5A 2-Pin Case B Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5551 | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 400V 5A 2000ns 2-Pin Case E Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5551 | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
Diode Switching 400V 3A 2-Pin Case 301 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5551 | Hersteller : Semtech |
AXIAL/D MET 3A STD 400V 1N5551 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5551 | Hersteller : Semtech |
Rectifiers D MET 3A STD 400V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5551 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Rectifiers |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5551 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 5A; tape; Ifsm: 100A; Ufmax: 1.2V; 2us Mounting: THT Kind of package: tape Reverse recovery time: 2µs Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.2V Load current: 5A Max. forward impulse current: 100A Max. off-state voltage: 0.4kV Type of diode: rectifying |
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