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Technische Details 1N5551US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V.
Weitere Produktangebote 1N5551US
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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1N5551US | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
 Rectifier Diode Switching 400V 3A 2000ns 2-Pin MELF-B |
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1N5551US | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 400V 5A 2-Pin B-MELF Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5551US | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 400V 5A 2-Pin B-MELF Bag |
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1N5551US | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 400V 5A 2000ns 2-Pin B-MELF Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5551US | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
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