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Technische Details 1N5552US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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1N5552US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 600V 5A 2000ns 2-Pin B-MELF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5552US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 5A 2-Pin B-MELF T/R |
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1N5552US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
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