1N5616US Sensitron Semiconductors


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Hersteller: Sensitron Semiconductors
Diode Switching 400V 1A 2-Pin MELF-1
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Technische Details 1N5616US Sensitron Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Supplier Device Package: D-5A, Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, A, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
1N5616US 1N5616US Sensitron Semiconductors 2823787626892906874.pdf Diode Switching 400V 1A 2-Pin MELF-1
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1N5616US 1N5616US Microchip Technology 10967-sa7-45-datasheet Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: D-5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
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Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
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Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
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