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1N5616US

1N5616US Sensitron Semiconductors

2823787626892906874.pdf Hersteller: Sensitron Semiconductors
Diode Switching 400V 1A 2-Pin MELF-1
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Technische Details 1N5616US Sensitron Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V.

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1N5616US 1N5616US Hersteller : Sensitron Semiconductors 2823787626892906874.pdf Diode Switching 400V 1A 2-Pin MELF-1
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1N5616US 1N5616US Hersteller : Microchip Technology 10967-sa7-45-datasheet Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
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1N5616US 1N5616US Hersteller : Microchip Technology sa7-45.pdf Rectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin A-MELF Bag
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