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1N5617GP-E3/54

1N5617GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1n5615gp.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
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Technische Details 1N5617GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V.

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1N5617GP-E3/54 1N5617GP-E3/54 Hersteller : Vishay General Semiconductor 1n5615gp.pdf Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt
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1N5617GP-E3/54 1N5617GP-E3/54 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5615gp.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
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