1N5618 Microchip Technology
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Technische Details 1N5618 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V.
Weitere Produktangebote 1N5618 nach Preis ab 5.46 EUR bis 5.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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1N5618 | Hersteller : Microchip Technology |
 Rectifiers 600V 1A Std Rectifier THT |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5618 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin Case A Bag |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5618 Produktcode: 125024
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Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
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1N5618 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin Case A Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5618 | Hersteller : Sensitron Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 1A 2000ns 2-Pin Case 102 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5618 | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin Case 102 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5618 | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin Case A Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5618 | Hersteller : MICROSEMI |
A/STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) 1N5618 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5618 | Hersteller : Semtech |
1A STANDARD RECT POWER DISCR 1N5618 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5618 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5618 | Hersteller : Semtech Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
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1N5618 | Hersteller : Semtech |
Rectifiers D MET 1A STD 600V |
Produkt ist nicht verfügbar |