1N5618US Microchip Technology
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Technische Details 1N5618US Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 1A D5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V.
Weitere Produktangebote 1N5618US nach Preis ab 10.69 EUR bis 13.49 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5618US | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
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1N5618US | Hersteller : Microchip Technology |
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1N5618US | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
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1N5618US | Hersteller : Microchip Technology |
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1N5618US | Hersteller : Microchip Technology |
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1N5618US | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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