1N5620US Microchip Technology
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Technische Details 1N5620US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 800 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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1N5620US | Microchip Technology |
 Diode Switching 800V 1A 2-Pin A-MELF Bag |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N5620US | Microchip Technology |
Diode Switching 800V 1A 2-Pin A-MELF Bag |
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| 1N5620US |
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Hersteller: Microchip Technology
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