1N5630A Microchip Technology
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Technische Details 1N5630A Microchip Technology
Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO13, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-13, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 132A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.4V, Supplier Device Package: DO-13, Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 7.13V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.3V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No.
Weitere Produktangebote 1N5630A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 1N5630A | Hersteller : Sensitron Semiconductors |
 1N5630A |
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| 1N5630A | Hersteller : MICROSEMI |
DO13/1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 1N5630 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| 1N5630A | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO13 Packaging: Bulk Package / Case: DO-13 Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 132A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.4V Supplier Device Package: DO-13 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 7.13V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.3V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
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1N5630A | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 11.3V 132A Uni-Directional TVS |
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