1N5804US Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 15.08 EUR |
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Technische Details 1N5804US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote 1N5804US nach Preis ab 14.71 EUR bis 21.89 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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1N5804US | Hersteller : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 2.5A 25ns 2-Pin A-MELF Bag |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5804US | Hersteller : Microchip Technology | Rectifiers 100V 1A UFR,FRR SQ SMT |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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1N5804US | Hersteller : Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 100V 2.5A 25ns 2-Pin MELF-A |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5804US | Hersteller : Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 100V 2.5A 25ns 2-Pin MELF-A |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5804US | Hersteller : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 2.5A 25ns 2-Pin A-MELF Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5804US | Hersteller : EIC Semiconductor | Diode Switching 100V 2.5A 2-Pin DO-41 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5804US | Hersteller : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 2.5A 25ns 2-Pin A-MELF Bag |
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1N5804US | Hersteller : MICROSEMI |
A_SQ_MELF/2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1N5804 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N5804US | Hersteller : Semtech |
2.5A SUPERFAST RECT - SM, SQUARE/SQUARE 1N5804 Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
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1N5804US | Hersteller : Semtech Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1.1A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.1A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |