1N5806US

1N5806US Microchip Technology


132687-lds-0211-1.pdf Hersteller: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 150V 2.5A 25ns 2-Pin A-MELF Bag
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Technische Details 1N5806US Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V.

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