1N5809E3 Microchip Technology
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Technische Details 1N5809E3 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5809E3 | Hersteller : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin Case B Bag |
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1N5809E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A |
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1N5809E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifiers 100V 3A Lead-Free UFR,FRR THT |
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