1N5811US/TR Microchip Technology
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Technische Details 1N5811US/TR Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5811US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
 Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF T/R |
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1N5811US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
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1N5811US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF T/R |
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1N5811US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT TR |
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1N5811US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
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1N5811US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF T/R |
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1N5811US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF T/R |
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1N5811US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF T/R |
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1N5811US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF T/R |
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1N5811US/TR | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF T/R |
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Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF T/R |
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