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1N5817G

1N5817G ON Semiconductor

1n5817-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Schottky Si 20V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Technische Details 1N5817G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 1N5817G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 450 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 450mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5817, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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1N5817G 1N5817G Hersteller : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Diode Schottky Si 20V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N5817-G 1N5817-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg016201n5817-g20thru.201n5819-g20revc.pdf Schottky Barrier Rectifiers
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1N5817-G 1N5817-G Hersteller : Comchip Technology QW_BG016_1N5817_G_Thru._1N5819_G_RevC.pdf Schottky Diodes & Rectifiers VRRM=20V, IAV=1.0A
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1N5817G 1N5817G Hersteller : onsemi 1N5817-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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1N5817G 1N5817G Hersteller : onsemi 1N5817-D.PDF coc-46.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1A 20V
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