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| Anzahl | Preis |
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Technische Details 1N5818G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 1N5818G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 550 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 550mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5818, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 1N5818G nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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1N5818G | Hersteller : onsemi |
 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIALPackaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V |
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1N5818G | Hersteller : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30V |
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1N5818-G | Hersteller : Comchip Technology |
Schottky Diodes & Rectifiers VRRM=30V, IAV=1.0A |
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1N5818G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5818G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 550 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5818 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5818G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5818G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5818G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5818G | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.875V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 30V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: CASE59 Max. forward voltage: 0.875V Max. forward impulse current: 25A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N5818G | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.875V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 30V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: CASE59 Max. forward voltage: 0.875V Max. forward impulse current: 25A |
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