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1N5819-G

1N5819-G Comchip Technology

1N5817-G Thru657024. 1N5819-G RevA.pdf Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
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Technische Details 1N5819-G Comchip Technology

Description: ONSEMI - 1N5819G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 600 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 600mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5819, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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1N5819G 1N5819G Hersteller : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Diode Schottky Si 40V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N5819G 1N5819G Hersteller : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Diode Schottky Si 40V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N5819-G 1N5819-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg016201n5817-g20thru.201n5819-g20revc.pdf Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41 Ammo
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1N5819-G 1N5819-G Hersteller : Comchip Technology 1N5817-G Thru657024. 1N5819-G RevA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
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1N5819-G 1N5819-G Hersteller : Comchip Technology 1N5817_G_Thru657024__1N5819_G_RevA-2504767.pdf Schottky Diodes & Rectifiers VRRM=40V, IAV=1.0A
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1N5819G 1N5819G Hersteller : onsemi 1n5817-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
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1N5819G 1N5819G Hersteller : onsemi 1n5817-d.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1A 40V
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1N5819G 1N5819G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013660491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5819G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5819
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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1N5819G
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1N5819G Hersteller : Microchip Technology 1n5817-d.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 45V Glass Small-Signal Schottky
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1N5819G 1N5819G Hersteller : Microchip Technology coc-46.pdf Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41
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1N5819G 1N5819G Hersteller : ONSEMI 1n5817-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.9V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE59
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N5819G 1N5819G Hersteller : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Rectifier Diode Schottky Si 40V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N5819G Hersteller : Microchip Technology coc-46.pdf Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41
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1N5819G 1N5819G Hersteller : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Diode Schottky Si 40V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N5819-G 1N5819-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg016201n5817-g20thru.201n5819-g20revc.pdf Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41 Ammo
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1N5819-G 1N5819-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg016201n5817-g20thru.201n5819-g20revc.pdf Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41 Ammo
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1N5819G 1N5819G Hersteller : ONSEMI 1n5817-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.9V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE59
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 25A
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