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1N5819-G

1N5819-G Comchip Technology

1N5817-G Thru657024. 1N5819-G RevA.pdf Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
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Technische Details 1N5819-G Comchip Technology

Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-41, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V.

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1N5819-G 1N5819-G Hersteller : Comchip Technology 20190812152936.pdf Rectifier Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41 Ammo
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1N5819-G 1N5819-G Hersteller : Comchip Technology 1N5817-G Thru657024. 1N5819-G RevA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
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1N5819G 1N5819G Hersteller : onsemi 1n5817-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
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1N5819G 1N5819G Hersteller : ONSEMI 1n5817-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.9V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE59
Max. forward impulse current: 25A
Max. forward voltage: 0.9V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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1N5819G
Produktcode: 129197 		1n5817-d.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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1N5819G 1N5819G Hersteller : ONSEMI 1n5817-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.9V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE59
Max. forward impulse current: 25A
Max. forward voltage: 0.9V
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