Technische Details 1N6066A MICROSEMI
Description: TVS DIODE 110VWM 182VC DO13, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-13, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 110V, Supplier Device Package: DO-13, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 124V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 182V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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1N6066A | Microchip Technology |
 Description: TVS DIODE 110VWM 182VC DO13Packaging: Bulk Package / Case: DO-13 Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 110V Supplier Device Package: DO-13 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 124V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 182V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N6066A | Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 182V 8.2A Bi-Directional TVS THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N6066A | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Bidirectional TVS THT diodes Description: Diode: TVS; 124V; 8.2A; bidirectional; DO13; 1.5kW; Ch: 1; -55÷175°C Type of diode: TVS Mounting: THT Max. off-state voltage: 110V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 8.2A Number of channels: 1 Breakdown voltage: 124V Peak pulse power dissipation: 1.5kW Operating temperature: -55...175°C Leakage current: 5µA Case: DO13 |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N6066A | Microchip Technology |
Diode TVS Single Bi-Dir 110V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag |
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Mindestbestellmenge: 32 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1N6066A | Microchip Technology |
Diode TVS Single Bi-Dir 110V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1N6066A | Sensitron Semiconductors |
Diode TVS Single Bi-Dir 110V 1.5KW 2-Pin DO-13 |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1N6066A |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 110VWM 182VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 110V
Supplier Device Package: DO-13
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 124V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 182V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 110VWM 182VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 110V
Supplier Device Package: DO-13
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 124V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 182V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
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| 1N6066A |
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Hersteller: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 182V 8.2A Bi-Directional TVS THT
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 182V 8.2A Bi-Directional TVS THT
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| 1N6066A |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 124V; 8.2A; bidirectional; DO13; 1.5kW; Ch: 1; -55÷175°C
Type of diode: TVS
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 110V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 8.2A
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 124V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Operating temperature: -55...175°C
Leakage current: 5µA
Case: DO13
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 124V; 8.2A; bidirectional; DO13; 1.5kW; Ch: 1; -55÷175°C
Type of diode: TVS
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 110V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 8.2A
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 124V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Operating temperature: -55...175°C
Leakage current: 5µA
Case: DO13
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| 1N6066A |
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Hersteller: Microchip Technology
Diode TVS Single Bi-Dir 110V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag
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| 1N6066A |
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Hersteller: Microchip Technology
Diode TVS Single Bi-Dir 110V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag
Diode TVS Single Bi-Dir 110V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag
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| 1N6066A |
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Hersteller: Sensitron Semiconductors
Diode TVS Single Bi-Dir 110V 1.5KW 2-Pin DO-13
Diode TVS Single Bi-Dir 110V 1.5KW 2-Pin DO-13
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