1N6080US Microchip Technology
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Technische Details 1N6080US Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 100V 2A GMELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, G, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: G-MELF (D-5C), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 155°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 37.7 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote 1N6080US
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N6080US | Hersteller : MICROSEMI |
 G-MELF/ 1N6080UAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N6080US | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 100V 2A GMELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, G Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: G-MELF (D-5C) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 155°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 37.7 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
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