1N645 Microchip Technology


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Technische Details 1N645 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 400mA, Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 225 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 225 V.

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