1N6474USe3 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G AXIAL
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: G, Axial
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: G, Axial
Packaging: Bulk
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Technische Details 1N6474USe3 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G AXIAL, Power Line Protection: No, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V, Voltage - Breakdown (Min): 33V, Unidirectional Channels: 1, Supplier Device Package: G, Axial, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A, Applications: General Purpose, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Type: Zener, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: G, Axial, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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1N6474USe3 | Microchip Technology |
 ESD Protection Diodes / TVS Diodes 33V Lead-Free Uni-Directional TVS SQ SMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1N6474USe3 |
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Hersteller: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 33V Lead-Free Uni-Directional TVS SQ SMT
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH