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Technische Details 1N6621US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A D-5A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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1N6621US/TR | Microchip Technology |
 Description: DIODE GEN PURP 400V 2A D-5APackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V |
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1N6621USTR | Microchip Technology |
Diode Switching 400V 1.2A 2-Pin A-MELF T/R |
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1N6621USTR | Microchip Technology |
Diode Switching 400V 1.2A 2-Pin A-MELF T/R |
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1N6621USTR | Microchip Technology |
Diode Switching 400V 1.2A 2-Pin A-MELF T/R |
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Mindestbestellmenge: 69 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1N6621US/TR |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A D-5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A D-5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
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| 1N6621USTR |
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Hersteller: Microchip Technology
Diode Switching 400V 1.2A 2-Pin A-MELF T/R
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| 1N6621USTR |
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Hersteller: Microchip Technology
Diode Switching 400V 1.2A 2-Pin A-MELF T/R
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Diode Switching 400V 1.2A 2-Pin A-MELF T/R
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