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Technische Details 1N6622 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.2A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V.
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