1N8170USe3 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 53VWM 85.3VC A SQ-MELF
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 150W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 85.3V
Voltage - Breakdown (Min): 58.9V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: A, SQ-MELF
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 53V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.76A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
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Technische Details 1N8170USe3 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 53VWM 85.3VC A SQ-MELF, Power Line Protection: No, Power - Peak Pulse: 150W, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 85.3V, Voltage - Breakdown (Min): 58.9V, Unidirectional Channels: 1, Supplier Device Package: A, SQ-MELF, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 53V, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.76A, Applications: General Purpose, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Type: Zener, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, A, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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1N8170USe3 | Microchip Technology |
 ESD Protection Diodes / TVS Diodes Low Capacitance TVS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1N8170USe3 |
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Hersteller: Microchip Technology
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