1N914TAP Vishay
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Technische Details 1N914TAP Vishay
Description: VISHAY - 1N914TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH), Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 1N914TAP nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N914TAP | Hersteller : Vishay |
 Diode Small Signal Switching 100V 0.3A Automotive 2-Pin DO-35 Ammo |
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1N914TAP | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STD 100V 300MA DO204AH Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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1N914TAP | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STD 100V 300MA DO204AH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 13306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N914TAP | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Small Signal Switching Diodes 100 Volt 300mA |
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1N914TAP | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - 1N914TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH) Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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1N914TAP Produktcode: 179612
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Lieblingsprodukt
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
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1N914TAP | Hersteller : Vishay |
Diode Small Signal Switching 100V 0.3A Automotive 2-Pin DO-35 Ammo |
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1N914TAP | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 4ns Automotive 2-Pin DO-35 Ammo |
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| 1N914TAP | Hersteller : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35 Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: Ammo Pack Capacitance: 4pF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| 1N914TAP | Hersteller : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35 Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: Ammo Pack Capacitance: 4pF |
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