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Technische Details 1PMT4100E3/TR7 Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 7.5V 1W DO216, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V, Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms, Supplier Device Package: DO-216, Part Status: Active, Power - Max: 1 W, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5.7 V.
Weitere Produktangebote 1PMT4100E3/TR7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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1PMT4100E3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
 Zener Diode Single 7.5V 5% 200Ohm 1000mW 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1PMT4100E3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
Zener Diode Single 7.5V 5% 200Ohm 1000mW 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1PMT4100E3/TR7 | Hersteller : MICROSEMI |
DO-216/Powermite Low Noise 1 Watt zener Diodes 1PMT4100 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1PMT4100E3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE ZENER 7.5V 1W DO216 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms Supplier Device Package: DO-216 Part Status: Active Power - Max: 1 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5.7 V |
Produkt ist nicht verfügbar |