1SS250(TE85L,F) Toshiba
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Technische Details 1SS250(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - 1SS250(TE85L,F) - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 100 mA, 1.2 V, 10 ns, 2 A, tariffCode: 85412100, Bauform - Diode: TO-236MOD, Durchlassstoßstrom: 2A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 10ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 250V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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1SS250(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS250(TE85L,F) - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 100 mA, 1.2 V, 10 ns, 2 A tariffCode: 85412100 Bauform - Diode: TO-236MOD Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 10ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| 1SS250(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
 Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 250V; 100mA; 60ns; SOT346; Ufmax: 1.2V; 150mW Type of diode: switching Case: SOT346 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 250V Load current: 0.1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 3pF Reverse recovery time: 60ns Power dissipation: 0.15W Max. load current: 0.3A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1SS250(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: SC-59 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
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1SS250(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: SC-59 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
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| 1SS250(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 250V; 100mA; 60ns; SOT346; Ufmax: 1.2V; 150mW Type of diode: switching Case: SOT346 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 250V Load current: 0.1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 3pF Reverse recovery time: 60ns Power dissipation: 0.15W Max. load current: 0.3A |
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