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1SS383(TE85L,F)

1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

1SS383_datasheet_en_20150115.pdf?did=3360&prodName=1SS383
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 100MA USQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
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Technische Details 1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 1SS383(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 45 V, 100 mA, 600 mV, 1 A, 125 °C, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SC-82, Durchlassstoßstrom: 1A, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 600mV, Sperrverzögerungszeit: -, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA, SVHC: To Be Advised, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 45V, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
1SS383(TE85L,F) 1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS383_datasheet_en_20150115.pdf?did=3360&prodName=1SS383 Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 100MA USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
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52+0.4 EUR
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1SS383(TE85L,F) 1SS383(TE85L,F) Toshiba 127E878FA76CB694DF0291B3AC68C8E6D96018D1B5FF4EE99350E78E8EE36B08.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 0.1A 40V Schottky Small Sig Diode
auf Bestellung 13076 Stücke:
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500+0.19 EUR
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1SS383(TE85L,F) 1SS383(TE85L,F) TOSHIBA 4249130.pdf Description: TOSHIBA - 1SS383(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 45 V, 100 mA, 600 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-82
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 7719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
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Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
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Hersteller: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers 0.1A 40V Schottky Small Sig Diode
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS383(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 45 V, 100 mA, 600 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-82
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: To Be Advised
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