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20ETS12S IR

20ETS.pdf Hersteller: IR
07+ TO-263
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Technische Details 20ETS12S IR

Description: DIODE STANDARD 1200V 20A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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20ETS12S Hersteller : IR 20ETS.pdf TO-263
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20ETS12S Hersteller : VISHAY 20ETS.pdf 08+ TO263
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20ETS12S 20ETS12S
Produktcode: 28559
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Hersteller : Delke 20ETS12S.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: D2PAK
Urev.,V: 1200
Iausricht.,А: 20
Beschreibung: Gleichrichter
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
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20ETS12S 20ETS12S Hersteller : Vishay 20etspbf.pdf Rectifier Diode Switching 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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20ETS12S 20ETS12S Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETS.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 20A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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20ETS12S 20ETS12S Hersteller : Vishay Semiconductors 20ETS.pdf Rectifiers RECOMMENDED ALT VS-20ETS12S-M3
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