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2302

2302 Goford Semiconductor

2302.pdf Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
auf Bestellung 300000 Stücke:
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Anzahl Preis
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15000+0.042 EUR
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Technische Details 2302 Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 10 V.

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2302 2302 Hersteller : Goford Semiconductor 2302.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 10 V
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32+0.56 EUR
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Mindestbestellmenge: 32
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230/ 2 230/ 2 Hersteller : Adels-Contact pdf121202.pdf Description: CONN TERM STRIP 2POS SCREW
Packaging: Bulk
Color: Natural
Voltage Rating: 450V
Current Rating (Amps): 24A
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.315" (8.00mm)
Number of Rows: 2
Terminal Block Type: Eurostyle Terminal Strip
Top Termination: Screws
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: Enclosed
Number of Circuits: 2
Number of Wire Entries: 4
auf Bestellung 8581 Stücke:
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15+1.25 EUR
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2302 2302 Hersteller : BERNSTEIN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD81E90775F24960D2&compId=ESDArbeitsplatzENv.01.pdf?ci_sign=abf7521f899c952ad26e235745b77a9a4c887ce8 Category: Tool Sets
Description: Kit: general purpose; ESD; bag; 5pcs.
Kind of package: bag
Kit contents: paintbrush; scissors; screwdrivers ESD; tweezers
Type of tools set: general purpose
Version: ESD
Quantity in set/package: 5pcs.
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2302 2302 Hersteller : BERNSTEIN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD81E90775F24960D2&compId=ESDArbeitsplatzENv.01.pdf?ci_sign=abf7521f899c952ad26e235745b77a9a4c887ce8 Category: Tool Sets
Description: Kit: general purpose; ESD; bag; 5pcs.
Kind of package: bag
Kit contents: paintbrush; scissors; screwdrivers ESD; tweezers
Type of tools set: general purpose
Version: ESD
Quantity in set/package: 5pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2302 2302 Hersteller : DWYER 4000751.pdf Description: DWYER - 2302 - Druckmesser / Manometer, Differenzdruck, 1 Inch-H2O, -6.67°C bis 60°C, 1/8"-FNPT
tariffCode: 90269000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebsdruck, max.: 1Inch-H2O
Betriebstemperatur, min.: -6.67°C
Betriebstemperatur, max.: 60°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: Magnehelic 2000 Series
SVHC: To Be Advised
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2302 Hersteller : GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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3449+0.042 EUR
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30000+0.033 EUR
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2302 Hersteller : GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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3449+0.042 EUR
15000+0.038 EUR
30000+0.033 EUR
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2302 Hersteller : GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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50000+0.046 EUR
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Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 10 V
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