Produkte > Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse > 27-3 (Sanhe, корпус, пластик, 79х43мм) білий
27-3 (Sanhe, корпус, пластик, 79х43мм) білий
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27-3 (Sanhe, корпус, пластик, 79х43мм) білий

Produktcode: 36325
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Hersteller: Sanhe
Beschreibung: Корпус-рамка під дисплей
Art, Typ, Gruppe: Корпуси під дисплеї
Material: Пластик/ABS
Farbe: білий
Länge, mm: 79,0 mm
Breite, mm: 43,0 mm
Zolltarifnummer: 3926909290
Gesamtabmessungen: 79,0x43,0 mm
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
273 273 Keystone Electronics p22-474633.pdf 9V Battery Snaps & Contacts SNAP
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500+1.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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273
Hersteller: Keystone Electronics
9V Battery Snaps & Contacts SNAP
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Hersteller: KLS
Passive Bauelemente > Schalter, Schubschalter, Kippschalter (alle außer Knopf/Tasten)
Gruppe: Schalter Typ Dip-Switch
Montage: THT
Abmessungen: 24,42x9,9x6,9 mm
Schaftlänge: 1 mm
Beschreibung: 9 Kontakte, Raster 2,54mm, 25mA, 24VDC, ON-OFF
Anzahl Stellungen: 9
Belastbarkeit: 0,025 A / 24 VDC
auf Bestellung 114 St.:
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Gruppe: Schalter Typ Dip-Switch
Montage: THT
Abmessungen: 11,72x9,9x6,9 mm
Schaftlänge: 1 mm
Beschreibung: 4 Kontakte, Raster 2,54mm, 25mA, 24VDC, ON-OFF
Anzahl Stellungen: 4
Belastbarkeit: 0,025 A / 24 VDC
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6,8nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W682K1HL2-L-Hitano)
Produktcode: 2896
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
6,8nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W682K1HL2-L-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 6,8 nF
Nennspannung: 50 V
TKE (Dielektrikum): X7R
Präzision: ±10% K
Rastermaß: 2,54 mm
Part Number: R15W682K1HL-2L
UKTZED: 8532 24 00 00
verfügbar: 457 St.
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BC546B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 13100
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BC546, 547.pdf
BC546B (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Montage: THT
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erwartet 50 St.:
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100+0.04 EUR
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Produktcode: 25235
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -30 V
Drain-Strom Idd, A: 0,006 A
Bemerkung: N-Kanal-Sperrschicht-FET (JFET)
Montage: THT
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