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2DB1188R-13

2DB1188R-13 Diodes Incorporated

2DB1188P_Q_R.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 337500 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details 2DB1188R-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - 2DB1188R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote 2DB1188R-13 nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2DB1188R-13 2DB1188R-13 Hersteller : Diodes Incorporated 2DB1188P_Q_R.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
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2DB1188R-13 2DB1188R-13 Hersteller : Diodes Incorporated 2DB1188P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 338895 Stücke:
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Anzahl Preis
17+1.07 EUR
27+0.66 EUR
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2DB1188R-13 2DB1188R-13 Hersteller : DIODES INC. 2DB1188P_Q_R.pdf Description: DIODES INC. - 2DB1188R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2DB1188R-13 2DB1188R-13 Hersteller : DIODES INC. 2DB1188P_Q_R.pdf Description: DIODES INC. - 2DB1188R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2DB1188R-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED 2DB1188P_Q_R.pdf 2DB1188R-13 PNP SMD transistors
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