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2DB1188R-13

2DB1188R-13 Diodes Incorporated

2DB1188P_Q_R.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details 2DB1188R-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - 2DB1188R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
2DB1188R-13 2DB1188R-13 Diodes Incorporated 2DB1188P_Q_R.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
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Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 338895 Stücke:
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2DB1188R-13 2DB1188R-13 DIODES INC. DIOD-S-A0014513991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DB1188R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2DB1188R-13 2DB1188R-13 DIODES INC. DIOD-S-A0014513991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DB1188R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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2DB1188R-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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10+0.62 EUR
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2DB1188R-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
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2DB1188R-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DB1188R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: DIODES INC. - 2DB1188R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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