2N5115

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2N5115

Hersteller: InterFET
JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
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Technische Details 2N5115

Description: P CHANNEL JFET, Packaging: Bulk, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA, Resistance - RDS(On): 100 Ohms, Power - Max: 500 mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V, FET Type: P-Channel, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can.

Preis 2N5115 ab 26.99 EUR bis 36.09 EUR

2N5115
Hersteller: MOTO

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2100 Stücke
2N5115
Hersteller: Vishay
00+/01
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377 Stücke
2N5115
Hersteller: VISHAY
0018+ TO-18
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300 Stücke
2N5115
Hersteller: VISHAY
CAN
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336 Stücke
2N5115
Hersteller:

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2100 Stücke
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2N5115
Hersteller: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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2N5115
Hersteller: Microchip / Microsemi
JFET JFETs
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2N5115
Hersteller: Microsemi
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
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Hersteller: Vishay Semiconductors
JFET 30V 10pA
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2N5115
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: JFET P-CH 30V TO-18
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
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2N5115
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: IC JUNCTION FET P-CH TO-18
Part Status: Obsolete
FET Type: P-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3V @ 1nA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 500mW
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Supplier Device Package: TO-18
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2N5115
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: P CHANNEL JFET
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 500 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
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