| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 33.89 EUR |
| 10+ | 25.81 EUR |
| 100+ | 21.47 EUR |
| 500+ | 19.15 EUR |
| 1000+ | 17.9 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N5115 InterFET
Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Grade: Military, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 100 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V, Qualification: MIL-PRF-19500.
Weitere Produktangebote 2N5115
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5115 | Central Semiconductor Corp |
 Description: JFET P-CH 30V TO18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5115 | Vishay Siliconix |
Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
2N5115 | Microchip Technology |
Description: JFET P-CH 30V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
2N5115 | Microchip Technology |
JFETs JFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5115 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 60mA; 500mW Drain-source voltage: 30V Drain current: 60mA On-state resistance: 100Ω Power dissipation: 0.5W Type of transistor: P-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
2N5115 | Microchip Technology |
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
2N5115 | Microchip Technology |
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5115 |
|
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V
Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5115 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5115 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5115 |
|
Hersteller: Microchip Technology
JFETs JFET
JFETs JFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5115 |
|
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 60mA; 500mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60mA
On-state resistance: 100Ω
Power dissipation: 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 60mA; 500mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60mA
On-state resistance: 100Ω
Power dissipation: 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5115 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5115 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH