2N7008-G Microchip Technology
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Technische Details 2N7008-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote 2N7008-G nach Preis ab 0.57 EUR bis 1.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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2N7008-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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2N7008-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 7.5Ω Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.5A Case: TO92 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N7008-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 7.5Ω Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.5A Case: TO92 |
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,TO-226_straightlead.jpg "2N7008-G") |
2N7008-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
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2N7008-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 60V 7.5Ohm |
auf Bestellung 1875 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| 2N7008-G | Hersteller : Microchip |
N-MOSFET 60V 230mA 7.5Ω 1W 2N7008-G Microchip T2N7008g Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7008-G Produktcode: 129444 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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2N7008-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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2N7008-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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| 2N7008G | Hersteller : onsemi | MOSFET |
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