2N7008-G Microchip Technology
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Technische Details 2N7008-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - 2N7008-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 7.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 230, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 7.5, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote 2N7008-G nach Preis ab 0.68 EUR bis 1.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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2N7008-G | Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 6826 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7008-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7008-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7008-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7008-G | Microchip |
2N7008-G Microchip N-MOSFET 60V 230mA 7.5Ω 1W T2N7008g |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7008-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1.3A; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Pulsed drain current: 1.3A Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Manufacturer standard package: 1000pcs. |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7008-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 6826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 222+ | 0.81 EUR |
| 244+ | 0.73 EUR |
| 256+ | 0.68 EUR |
| 2N7008-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.21 EUR |
| 25+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| 2N7008-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 1.23 EUR |
| 179+ | 0.96 EUR |
| 193+ | 0.87 EUR |
| 2N7008-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 138+ | 1.31 EUR |
| 155+ | 1.14 EUR |
| 2N7008-G |
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Hersteller: Microchip
2N7008-G Microchip N-MOSFET 60V 230mA 7.5Ω 1W T2N7008g
2N7008-G Microchip N-MOSFET 60V 230mA 7.5Ω 1W T2N7008g
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.86 EUR |
| 2N7008-G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1.3A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Pulsed drain current: 1.3A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1.3A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Pulsed drain current: 1.3A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 1000pcs.
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)