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2N7008-G

2N7008-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005800A.pdf
Produktcode: 129444
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Transistoren > MOSFET N-CH

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2N7008-G 2N7008-G Microchip Technology 2N7008-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005800A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
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25+1.01 EUR
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2N7008-G 2N7008-G Microchip Technology 2N7008-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005800A.pdf MOSFETs 60V 7.5Ohm
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155+1.12 EUR
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2N7008-G 2N7008-G Microchip T2N7008g_0001.pdf N-MOSFET 60V 230mA 7.5Ω 1W 2N7008-G Microchip T2N7008g
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Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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2N7008-G
Hersteller: Microchip
N-MOSFET 60V 230mA 7.5Ω 1W 2N7008-G Microchip T2N7008g
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