2DB1182Q-13 Diodes Zetex
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Technische Details 2DB1182Q-13 Diodes Zetex
Description: TRANS PNP 32V 2A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 110MHz, Supplier Device Package: TO-252-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 10 W, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2DB1182Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PNP 32V 2A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 |
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2DB1182Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 32V 2A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 |
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2DB1182Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A |
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2DB1182Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 hazardous: false DC-Stromverstärkung hFE: 120 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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2DB1182Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32 Verlustleistung: 15 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 2 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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2DB1182Q-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 32V 2A 1200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
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2DB1182Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 32V 2A 1200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
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