2DB1188Q-13 Diodes Incorporated


2DB1188P_Q_R.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
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Technische Details 2DB1188Q-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: SOT-89-3, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
2DB1188Q-13 2DB1188Q-13 Diodes Incorporated 2DB1188P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
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2DB1188Q-13 2DB1188P_Q_R.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
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