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2DB1386R-13

2DB1386R-13 Diodes Zetex

ds31147.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details 2DB1386R-13 Diodes Zetex

Description: TRANS PNP 20V 5A SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2DB1386R-13 2DB1386R-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31147.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
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2DB1386R-13 2DB1386R-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31147.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 2.5K BIPOLAR
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2DB1386R-13 2DB1386R-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31147.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
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2DB1386R-13 2DB1386R-13 Hersteller : Diodes Inc ds31147.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2DB1386R-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31147.pdf 2DB1386R-13 PNP SMD transistors
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