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2DC2412R-7

2DC2412R-7 Diodes Incorporated

2DC2412R.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details 2DC2412R-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23-3, Power - Max: 300 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2DC2412R-7 2DC2412R-7 Diodes Incorporated 2DC2412R.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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2DC2412R-7 2DC2412R-7 Diodes Incorporated 2DC2412R.pdf Bipolar Transistors - BJT 50V NPN SMT
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2DC2412R-7 2DC2412R-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013317010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DC2412R-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 180
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.89 EUR
345+0.68 EUR
650+0.33 EUR
981+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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2DC2412R-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013317010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DC2412R-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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2DC2412R-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
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2DC2412R-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DC2412R-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 180
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
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Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DC2412R-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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