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2DC2412R-7

2DC2412R-7 Diodes Incorporated

Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
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Technische Details 2DC2412R-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW.

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2DC2412R-7 2DC2412R-7 Hersteller : Diodes Incorporated Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
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2DC2412R-7 2DC2412R-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIODS19859_1-2512484.pdf Bipolar Transistors - BJT 50V NPN SMT
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2DC2412R-7 2DC2412R-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013317010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DC2412R-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 180
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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2DC2412R-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013317010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DC2412R-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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2DC2412R-7 2DC2412R-7 Hersteller : Diodes Inc 105ds31241.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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