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2DC4617QLP-7B

2DC4617QLP-7B Diodes Zetex

644ds31439.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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Technische Details 2DC4617QLP-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B Diodes Incorporated ds31439.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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30000+0.056 EUR
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2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001022219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8000 Stücke:
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926+0.27 EUR
1191+0.19 EUR
1334+0.17 EUR
1516+0.14 EUR
1755+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
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2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001022219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8000 Stücke:
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5000+0.1 EUR
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2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B Diodes Incorporated ds31439.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K
auf Bestellung 316 Stücke:
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11+0.32 EUR
17+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.09 EUR
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5000+0.069 EUR
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2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B Diodes Incorporated ds31439.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 66557 Stücke:
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48+0.44 EUR
52+0.4 EUR
100+0.23 EUR
500+0.14 EUR
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2DC4617QLP-7B ds31439.pdf
2DC4617QLP-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
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Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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2DC4617QLP-7B DIOD-S-A0001022219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2DC4617QLP-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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2DC4617QLP-7B DIOD-S-A0001022219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2DC4617QLP-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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1755+0.12 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K
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11+0.32 EUR
17+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.071 EUR
5000+0.069 EUR
10000+0.058 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
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48+0.44 EUR
52+0.4 EUR
100+0.23 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.094 EUR
2000+0.08 EUR
5000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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